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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 表面安装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | ECCN 代码 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | Reach合规守则 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | |||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NDT014L_NL | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 4 | SILICON | NDT014L_NL | 有 | Obsolete | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 5.34 | 2.8 A | 1 | 150 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | 未说明 | EAR99 | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | compliant | R-PDSO-G4 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | N-CHANNEL | 2.7 A | 0.16 Ω | 10 A | 60 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 3 W |
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