Fairchild Semiconductor QSE214C
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QSE214C
836-QSE214C
传感器,变送器
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大陆
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Photo Transistor, 880nm, PLASTIC PACKAGE-2
1最小包装量--
QSE214C详情
Fairchild Semiconductor QSE214C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
2
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30 V
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
包装
Bulk
最高工作温度
100 °C
最小工作温度
-40 °C
最大功率耗散
100 mW
方向
Side View
极性
NPN
功率耗散
100 mW
视角
50 °
上升时间
8 µs
集电极发射器电压(VCEO)
30 V
波长
880 nm
暗电流
100 nA
无铅
无铅
QSE214C拓展信息
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
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