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Fairchild Semiconductor RF1K4915696

Name: RF1K4915696
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-RF1K4915696
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

RF1K4915696

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-RF1K4915696

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

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RF1K4915696 Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

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RF1K4915696详情

技术参数

Fairchild Semiconductor RF1K4915696重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件包装

8-SOIC
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

2W (Ta)
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

-
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

30mOhm @ 6.3A, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2030 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

65 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

30 V
Vgs（最大值）

±10V
场效应管特性

-

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