Fairchild Semiconductor RFD8P05
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RFD8P05
836-RFD8P05
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
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RFD8P05详情
Fairchild Semiconductor RFD8P05重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
Voltage Rating (DC)
-50 V
RoHS
Non-Compliant
Turn Off Delay Time
42 ns
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
48 W
额定电流
-8 A
元素配置
Single
功率耗散
48 W
上升时间
30 ns
漏源电压 (Vdss)
50 V
连续放电电流(ID)
8 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
-50 V
漏源电阻
300 mΩ
最大rds
300 mΩ
无铅
含铅
RFD8P05拓展信息
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
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