Fairchild Semiconductor RFG60P05E
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RFG60P05E
836-RFG60P05E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
1最小包装量--
RFG60P05E详情
Fairchild Semiconductor RFG60P05E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
Voltage Rating (DC)
-50 V
RoHS
Non-Compliant
Turn Off Delay Time
65 ns
包装
Bulk
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
215 W
额定电流
-60 A
元素配置
Single
功率耗散
215 W
上升时间
60 ns
漏源电压 (Vdss)
50 V
连续放电电流(ID)
60 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
-50 V
输入电容
7.2 nF
漏源电阻
30 mΩ
最大rds
30 mΩ
无铅
含铅
RFG60P05E拓展信息
Fairchild Semiconductor
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