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Fairchild Semiconductor RFP3055LE

Name: RFP3055LE
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-RFP3055LE
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

RFP3055LE

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-RFP3055LE

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,

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RFP3055LE Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,

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RFP3055LE详情

技术参数

Fairchild Semiconductor RFP3055LE重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

通孔
Number of Elements

1
Voltage Rating (DC)

60 V
RoHS

Compliant
Turn Off Delay Time

22 ns
最高工作温度

175 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

38 W
额定电流

11 A
元素配置

Single
功率耗散

38 W
上升时间

105 ns
漏源电压 (Vdss)

60 V
连续放电电流(ID)

11 A
栅极至源极电压(Vgs)

16 V
漏源击穿电压

60 V
输入电容

350 pF
漏源电阻

107 mΩ
最大rds

107 mΩ
无铅

无铅

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RFP3055LE拓展信息

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