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Fairchild Semiconductor SFR9120TF

Name: SFR9120TF
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-SFR9120TF
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SFR9120TF

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-SFR9120TF

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

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SFR9120TF Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

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SFR9120TF详情

技术参数

Fairchild Semiconductor SFR9120TF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装

TO-252-3 (DPAK)
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta), 32W (Tc)
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

-
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

600mOhm @ 2.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

550 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

100 V
Vgs（最大值）

±30V
场效应管特性

-

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