注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

Fairchild Semiconductor SFW9Z34TM

Name: SFW9Z34TM
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-SFW9Z34TM
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

SFW9Z34TM

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-SFW9Z34TM

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

SFW9Z34TM Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

SFW9Z34TM详情

技术参数

Fairchild Semiconductor SFW9Z34TM重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装

D2PAK (TO-263)
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

3.8W (Ta), 82W (Tc)
Product Status

Obsolete
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250µA
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
系列

-
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

140mOhm @ 9A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1155 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

60 V
Vgs（最大值）

±30V
场效应管特性

-

0个相似型号

SFW9Z34TM拓展信息

热销零件