Fairchild Semiconductor SGL60N90DG3TU
- 收藏
- 对比
SGL60N90DG3TU
836-SGL60N90DG3TU
分立半导体产品
--
大陆
立即发货

Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264, 3 PIN
1最小包装量--
SGL60N90DG3TU详情
Fairchild Semiconductor SGL60N90DG3TU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.4 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
900 V
Voltage Rating (DC)
60 V
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
180 W
额定电流
60 A
元素配置
Single
功率耗散
180 W
集电极发射器电压(VCEO)
900 V
最大集电极电流
60 A
反向恢复时间
1.5 µs
无铅
无铅
SGL60N90DG3TU拓展信息
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor







哦! 它是空的。