Fairchild Semiconductor SSR1N60BTM_F080
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SSR1N60BTM_F080
836-SSR1N60BTM_F080
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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SSR1N60BTM_F080 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Fairchild Semiconductor stock available at utmel
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SSR1N60BTM_F080详情
Fairchild Semiconductor SSR1N60BTM_F080重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
25 ns
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
2.5 W
元素配置
Single
功率耗散
2.5 W
上升时间
45 ns
漏源电压 (Vdss)
600 V
连续放电电流(ID)
900 mA
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
漏源击穿电压
600 V
输入电容
215 pF
漏源电阻
12 Ω
最大rds
12 Ω
SSR1N60BTM_F080拓展信息
Fairchild Semiconductor
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