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'ssr4n60'

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	安装类型	包装/外壳	表面安装	供应商器件包装	终端数量	晶体管元件材料					厂商											操作温度	系列	JESD-609代码	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	端子位置	终端形式	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	配置	元素配置	功率耗散	场效应管类型	晶体管应用	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	Vgs（最大值）	极性/通道类型	连续放电电流(ID)	栅极至源极电压(Vgs)
SSR4N60A	Samsung Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	2	SILICON	150 °C	PLASTIC/EPOXY	RECTANGULAR	小概要			Obsolete	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	2.8 A	1			EAR99			SINGLE	鸥翼	unknown	3	R-PSSO-G2	不合格	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET		DRAIN								N-CHANNEL		2.5 Ω		11 A	600 V		257 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	49 W
SSR4N60A	Fairchild Semiconductor Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	2	SILICON		1	150 °C	PLASTIC/EPOXY	RECTANGULAR	小概要			无	Obsolete	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP	DPAK-3	2.8 A	e0	EAR99	锡铅		SINGLE	鸥翼	compliant	3	R-PSSO-G2	不合格	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET		DRAIN		SWITCHING						N-CHANNEL		2.5 Ω		11 A	600 V		257 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	49 W
SSR4N60BTM	Fairchild Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3 (DPAK)	Fairchild Semiconductor	Bulk	2.5W (Ta), 49W (Tc)	10V			2.8A (Tc)	活跃	-55°C ~ 150°C (TJ)	-														N-Channel		2.5Ohm @ 1.4A, 10V	4V @ 250μA	920 pF @ 25 V	29 nC @ 10 V		600 V	±30V									-
SSR4N60BTF	Fairchild Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3 (DPAK)	Fairchild Semiconductor	10V	Bulk	活跃			2.5W (Ta), 49W (Tc)	2.8A (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-														N-Channel		2.5Ohm @ 1.4A, 10V	4V @ 250μA	920 pF @ 25 V	29 nC @ 10 V		600 V	±30V									-
SSR4N60BTM	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
SSR4N60BTF	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		2.8	Compliant	70 ns											150 °C	-55 °C					Single		2.5 W								55 ns				2.8 A	30 V	600 V		N				2.5 Ω