注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

Fairchild Semiconductor SSW2N60BTM

Name: SSW2N60BTM
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-SSW2N60BTM
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

SSW2N60BTM

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-SSW2N60BTM

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表

SSW2N60BTM Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

请发送询价，我们将立即回复。

库存:20800

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

SSW2N60BTM详情

技术参数

Fairchild Semiconductor SSW2N60BTM重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装

D2PAK
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

3.13W (Ta), 54W (Tc)
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

-
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

5Ohm @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

490 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

600 V
Vgs（最大值）

±30V
场效应管特性

-

0个相似型号

SSW2N60BTM拓展信息

热销零件