Fairchild Semiconductor SSW4N60BTM
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SSW4N60BTM
836-SSW4N60BTM
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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N-CHANNEL POWER MOSFET
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SSW4N60BTM详情
Fairchild Semiconductor SSW4N60BTM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
D2PAK
厂商
Fairchild Semiconductor
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4A (Tc)
Product Status
活跃
Package
Bulk
Power Dissipation (Max)
3.13W (Ta), 100W (Tc)
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
920 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
29 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
600 V
Vgs(最大值)
±30V
场效应管特性
-
SSW4N60BTM拓展信息
Fairchild Semiconductor
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