FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP ITF87012SVT1
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ITF87012SVT1
836-ITF87012SVT1
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ITF87012SVT1详情
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP ITF87012SVT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
MO-193AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6A
漏极-源极导通最大电阻
0.038Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ITF87012SVT1拓展信息







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