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Fairchild Semiconductor Corporation MJD29C

Name: MJD29C
Brand: Fairchild Semiconductor Corporation
SKU: 836-MJD29C
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MJD29C

品牌

Fairchild Semiconductor Corporation

utmel 编号

836-MJD29C

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3

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MJD29C Fairchild Semiconductor Corporation Description: Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3

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MJD29C详情

技术参数

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Fairchild Semiconductor Corporation MJD29C重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

2
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

无
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Part Package Code

TO-252
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
Transition Frequency-Nom (fT)

3 MHz
JESD-609代码

e0
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)
端子位置

SINGLE
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

compliant
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PSSO-G2
资历状况

不合格
配置

SINGLE
晶体管应用

AMPLIFIER
极性/通道类型

NPN
JEDEC-95代码

TO-252
最大耗散功率(Abs)

15 W
集电极电流-最大值(IC)

1 A
最小直流增益（hFE）

15
集电极-发射器电压-最大值

100 V

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MJD29C拓展信息

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