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Fairchild Semiconductor Corporation MJD42

Name: MJD42
Brand: Fairchild Semiconductor Corporation
SKU: 836-MJD42
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MJD42

品牌

Fairchild Semiconductor Corporation

utmel 编号

836-MJD42

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3

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MJD42 Fairchild Semiconductor Corporation Description: Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3

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技术参数

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Fairchild Semiconductor Corporation MJD42重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
引脚数

3
终端数量

2
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

无
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Package Description

DPAK-3
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

140 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
Transition Frequency-Nom (fT)

3 MHz
JESD-609代码

e0
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

锡铅
端子位置

SINGLE
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PSSO-G2
资历状况

不合格
配置

SINGLE
箱体转运

COLLECTOR
晶体管应用

AMPLIFIER
极性/通道类型

PNP
最大耗散功率(Abs)

20 W
集电极电流-最大值(IC)

6 A
最小直流增益（hFE）

15
集电极-发射器电压-最大值

100 V

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