20020000D111B01LF详情
FCI 20020000D111B01LF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
TO-220AB
Package
Tube
Base Product Number
SUP60
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
Vishay Siliconix
Power Dissipation (Max)
3.25W (Ta), 100W (Tc)
Product Status
Obsolete
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
TrenchFET®
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
12mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1970 pF @ 30 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
55 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
60 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
20020000D111B01LF拓展信息








哦! 它是空的。