Freescale MURS120T3

安装类型

表面贴装

包装/外壳

28-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

28-SOJ

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Memory Types

Volatile

Package Description

R-PDSO-C2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-65 °C

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MURS120T3

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

摩托罗拉半导体产品

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Forward Voltage-Max (VF)

0.875 V

Risk Rank

4.49

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

超快恢复

附加功能

自由旋转二极管

HTS代码

8541.10.00.80

子类别

研磨二极管

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

3 V ~ 3.6 V

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

Reach合规守则

unknown

基本部件号

IDT71V256

JESD-30代码

R-PDSO-C2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

内存大小

256Kb (32K x 8)

二极管类型

接收电极

访问时间

10ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

输出电流-最大值

2 A

写入周期时间 - 字符、页面

10ns

相位的数量

1

Rep Pk反向电压-最大值

200 V

最大非代表Pk前进电流

40 A

反向电流-最大值

2 µA

反向恢复时间-最大值

0.035 µs