Freescale Semiconductor MTP55N06Z

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MOTOROLA SEMICONDUCTOR PRODUCTS

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Drain Current-Max (ID)

55 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Turn-off Time-Max (toff)

484 ns

Turn-on Time-Max (ton)

368 ns

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

防静电

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

55 A

漏极-源极导通最大电阻

0.016 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

165 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

454 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

136 W

反馈上限-最大值 (Crss)

238 pF

环境耗散-最大值

136 W