1MBI200S-120
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Fuji 1MBI200S-120

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型号

1MBI200S-120

品牌

Fuji

utmel 编号

920-1MBI200S-120

商品类别

分立半导体产品

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

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1MBI200S-120 Fuji Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

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1MBI200S-120详情

Fuji 1MBI200S-120重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    350 ns

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    450 ns

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Manufacturer Part Number

    1MBI200S-120

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Fuji Electric Co Ltd

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    FUJI ELECTRIC CO LTD

  • Risk Rank

    5.82

  • 子类别

    绝缘栅BIP晶体管

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X4

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大耗散功率(Abs)

    1300 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    300 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1200 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    2.6 V

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1MBI200S-120拓展信息

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