Fuji 2SK1083MR

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

2SK1083-MR

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fuji Electric Co Ltd

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Samacsys Description

SK1083-MR : N-channel MOS-FET

Ihs Manufacturer

FUJI ELECTRIC CO LTD

Risk Rank

8.38

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

8 A

Turn-on Time-Max (ton)

55 ns

Turn-off Time-Max (toff)

105 ns

ECCN 代码

EAR99

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

60 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

8 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8 A

漏极-源极导通最大电阻

0.22 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

32 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

20 W

环境耗散-最大值

20 W