Fuji Electric 2SK3474-01
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2SK3474-01
920-2SK3474-01
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Power Field-Effect Transistor, 33A I(D),150V,0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,Metal-oxideSemiconductor FET
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2SK3474-01详情
Fuji Electric 2SK3474-01重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
TFP, 4 PIN
Package Style
CHIP CARRIER
Package Body Material
UNSPECIFIED
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
2SK3474-01
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Fuji Electric Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
FUJI ELECTRIC CO LTD
Risk Rank
5.76
Drain Current-Max (ID)
33 A
ECCN 代码
EAR99
子类别
FET 通用电源
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
引脚数量
4
JESD-30代码
S-XBCC-N4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4.1 A
漏极-源极导通最大电阻
0.07 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
132 A
DS 击穿电压-最小值
150 V
雪崩能量等级(Eas)
169 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
75 W
达到SVHC
unknown
2SK3474-01拓展信息







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