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Fuji Electric 2SK3533-01

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型号

2SK3533-01

utmel 编号

920-2SK3533-01

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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2SK3533-01 Fuji Electric Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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2SK3533-01详情

Fuji Electric 2SK3533-01重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    3

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

    Compliant

  • Turn Off Delay Time

    45 ns

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Part Number

    2SK3533-01

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Fuji Electric Co Ltd

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    FUJI ELECTRIC CO LTD

  • Risk Rank

    5.81

  • Part Package Code

    TO-220AB

  • Drain Current-Max (ID)

    7 A

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    225 W

  • 接通延迟时间

    22 ns

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30 V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    2 Ω

  • 漏源击穿电压

    900 V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    28 A

  • DS 击穿电压-最小值

    900 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    269.5 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 漏源电阻

    2 Ω

  • 宽度

    4.4958 mm

  • 高度

    15.0114 mm

  • 长度

    9.9822 mm

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