Fuji Electric 2SK3592-01S
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2SK3592-01S
920-2SK3592-01S
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Power Field-Effect Transistor, 57A I(D),150V,0.041ohm, 1-Element, N-Channel,Silicon,Metal-oxide Semiconductor FET
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2SK3592-01S详情
Fuji Electric 2SK3592-01S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
2SK3592-01S
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fuji Electric Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
FUJI ELECTRIC CO LTD
Risk Rank
5.7
Drain Current-Max (ID)
57 A
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
40 A
漏极-源极导通最大电阻
0.041 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
228 A
DS 击穿电压-最小值
150 V
雪崩能量等级(Eas)
272.5 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
135 W
2SK3592-01S拓展信息







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