Fuji Electric 2SK3682-01
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2SK3682-01
920-2SK3682-01
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
1最小包装量--
2SK3682-01详情
Fuji Electric 2SK3682-01重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
56 ns
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
2SK3682-01
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fuji Electric Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
FUJI ELECTRIC CO LTD
Risk Rank
5.76
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
19 A
终端
通孔
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
HTS代码
8541.29.00.95
最大功率耗散
270 W
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
螺纹距离
5.45 mm
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
270 W
接通延迟时间
29 ns
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
500 V
正向电压
1.2 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
19 A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
漏极-源极导通最大电阻
0.38 Ω
漏源击穿电压
500 V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
76 A
双电源电压
500 V
DS 击穿电压-最小值
500 V
雪崩能量等级(Eas)
245.3 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
380 mΩ
栅源电压
5 V
宽度
4.4958 mm
高度
15.0114 mm
长度
9.9822 mm
达到SVHC
unknown
2SK3682-01拓展信息
Fuji
Fuji Electric
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Fuji Electric
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Fuji Electric
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