Fuji Electric 2SK3775-01
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2SK3775-01
920-2SK3775-01
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Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D),300V,0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,Metal-oxideSemiconductor FET
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2SK3775-01详情
Fuji Electric 2SK3775-01重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-N4
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
2SK3775-01
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fuji Electric Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
FUJI ELECTRIC CO LTD
Risk Rank
5.76
Drain Current-Max (ID)
2.4 A
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
JESD-30代码
R-PDSO-N4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.13 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
128 A
DS 击穿电压-最小值
300 V
雪崩能量等级(Eas)
597.4 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
达到SVHC
unknown
2SK3775-01拓展信息







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