Fuji Electric 6DI50M-050
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6DI50M-050
920-6DI50M-050
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Insulated GateBipolarTransistor,600AI(C),1200VV(BR)CES, N-Channel
1最小包装量--
6DI50M-050详情
Fuji Electric 6DI50M-050重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
19
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X19
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
6DI50M-050
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fuji Electric Co Ltd
Number of Elements
6
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
COLLMER SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.8
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
19
JESD-30代码
R-PUFM-X19
资历状况
不合格
配置
COMPLEX
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
集电极电流-最大值(IC)
50 A
最小直流增益(hFE)
750
集电极-发射器电压-最大值
600 V
达到SVHC
unknown
6DI50M-050拓展信息







哦! 它是空的。