Fuji Electric 7MBR75VN120-50
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7MBR75VN120-50
920-7MBR75VN120-50
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
1最小包装量--
7MBR75VN120-50详情
Fuji Electric 7MBR75VN120-50重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
35
材料
Aluminum
形状
Square, Fins
包装冷却
Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
材料处理
蓝色阳极氧化
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2 kV
RoHS
Compliant
系列
pushPIN™
零件状态
活跃
类型
顶部安装
最大功率耗散
385 W
附着方法
推销
离底高度(鳍的高度)
0.790 (20.00mm)
强制空气流动时的热阻
11.51°C/W @ 100 LFM
集电极发射器电压(VCEO)
2.25 V
自然环境下的热阻
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温度上升时的耗散功率
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宽度
1.772 (45.00mm)
长度
1.772 (45.00mm)
直径
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7MBR75VN120-50拓展信息







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