Fuji Electric FML12N60ES
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FML12N60ES
920-FML12N60ES
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D),600V,0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,Metal-oxideSemiconductor FET
1最小包装量--
FML12N60ES详情
Fuji Electric FML12N60ES重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
FML12N60ES
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fuji Electric Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
FUJI ELECTRIC CO LTD
Risk Rank
5.76
Drain Current-Max (ID)
12 A
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-F4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
12 A
漏极-源极导通最大电阻
0.75 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
48 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
384 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
180 W
FML12N60ES拓展信息







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