Fuji Electric FMV23N50E
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FMV23N50E
920-FMV23N50E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F(SLS), 3 PIN
1最小包装量--
FMV23N50E详情
Fuji Electric FMV23N50E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
FMV23N50E
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fuji Electric Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
FUJI ELECTRIC CO LTD
Risk Rank
5.72
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
23 A
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
23 A
漏极-源极导通最大电阻
0.245 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
92 A
DS 击穿电压-最小值
500 V
雪崩能量等级(Eas)
767.3 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
130 W
达到SVHC
unknown
FMV23N50E拓展信息
Fuji
Fuji Electric
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