FUJI ELECTRIC CO LTD 2SK3526-01S
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2SK3526-01S
920-2SK3526-01S
集成电路(IC)
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D),600V,1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,Metal-oxideSemiconductor FET
1最小包装量--
2SK3526-01S详情
FUJI ELECTRIC CO LTD 2SK3526-01S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
2SK3526-01S
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
FUJI ELECTRIC CO LTD
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Risk Rank
5.71
Package Style
小概要
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Number of Elements
1
Drain Current-Max (ID)
6 A
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6 A
漏极-源极导通最大电阻
1.2 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
24 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
193 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
65 W
2SK3526-01S拓展信息
FUJI ELECTRIC CO LTD
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