2SK1982-01MR
2SK1982-01MR

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Fujitsu 2SK1982-01MR

  • 收藏
  • 对比

型号

2SK1982-01MR

品牌

Fujitsu

utmel 编号

922-2SK1982-01MR

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

2SK1982-01MR datasheet pdf and Integrated Circuits (ICs) product details from Fujitsu stock available at utmel

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
2SK1982-01MR
2SK1982-01MR Fujitsu

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

2SK1982-01MR详情

Fujitsu 2SK1982-01MR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    2SK1982-01MR

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    COLLMER SEMICONDUCTOR INC

  • Part Package Code

    TO-220F15

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Risk Rank

    5.84

  • Drain Current-Max (ID)

    10 A

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Turn-off Time-Max (toff)

    190 ns

  • Turn-on Time-Max (ton)

    85 ns

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.76 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    500 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 环境耗散-最大值

    50 W

0个相似型号

2SK1982-01MR拓展信息

2SK956-01
2SK956-01

Fujitsu

2SK903-MR
2SK903-MR

Fujitsu

2SC4275
2SC4275

Fujitsu

6MBI10GS-060
6MBI10GS-060

Fujitsu

6MBI15LS-060
6MBI15LS-060

Fujitsu

6RI100E-080
6RI100E-080

Fujitsu

08N50E
08N50E

Fujitsu

05N60E
05N60E

Fujitsu

1MBH75D-060S
1MBH75D-060S

Fujitsu

1MBH65D-090A
1MBH65D-090A

Fujitsu

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z