FUJITSU SEMICONDUCTOR AMERICA INC FT6121D

表面安装

NO

终端数量

12

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

4

Operating Temperature (Max.)

150°C

ECCN 代码

EAR99

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

引脚数量

12

JESD-30代码

R-PSIP-T12

资历状况

不合格

配置

2 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.75Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

5A

DS 击穿电压-最小值

120V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

反馈上限-最大值 (Crss)

60 pF

环境耗散-最大值

32W