FUJITSU Semiconductor Limited 2SC3055
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2SC3055
922-2SC3055
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN
1最小包装量--
2SC3055详情
FUJITSU Semiconductor Limited 2SC3055重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FUJITSU SEMICONDUCTOR AMERICA INC
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Transition Frequency-Nom (fT)
28 MHz
Turn-off Time-Max (toff)
3300 ns
ECCN 代码
EAR99
附加功能
环型发射极晶体管
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
JEDEC-95代码
TO-220AB
集电极电流-最大值(IC)
2 A
最小直流增益(hFE)
10
集电极-发射器电压-最大值
400 V
VCEsat-最大值
1 V
环境耗散-最大值
15 W
2SC3055拓展信息







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