Galaxy Semi-Conductor Co Ltd BAV70T
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BAV70T详情
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd BAV70T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
YES
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
供应商器件包装
Module
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
外壳材料
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
GALAXY SEMI-CONDUCTOR CO LTD
Package Description
R-PDSO-G3
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-65 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
厂商
Advantech Corp
包装
Box
操作温度
-20°C ~ 55°C
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.70
电压 - 供电
3.6V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
频率
DC ~ 8kHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
输出量
Current
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
通道数量
1
极化
单向
二极管类型
接收电极
准确性
±1%
输出电流-最大值
0.155 A
Rep Pk反向电压-最大值
85 V
传感器类型
Magnetoresistive
用于测量
DC
反向恢复时间-最大值
0.004 μs
输出范围
0.15 W
C 凹腔
75A
BAV70T拓展信息
Galaxy Microelectronics
Galaxy Microelectronics
Galaxy Microelectronics
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Galaxy Microelectronics
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Galaxy Microelectronics
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd








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