General Electric IM6518-1MFN/883B

表面安装

YES

终端数量

18

RoHS

有

Package Description

DFP, FL18,.3

Package Style

FLATPACK

Number of Words Code

1000

Package Body Material

CERAMIC

Package Equivalence Code

FL18,.3

Operating Temperature-Min

-55 °C

Access Time-Max

180 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IM6518-1MFN/883B

Number of Words

1024 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DFP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

General Electric Solid State

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

GENERAL ELECTRIC SOLID STATE

Risk Rank

5.92

Usage Level

Military grade

系列

AM

JESD-609代码

e0

类型

Bit

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-XDFP-F18

资历状况

不合格

电源

5 V

温度等级

MILITARY

注意

-

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.004 mA

位元大小

1/4

组织结构

1KX1

输出特性

3-STATE

内存宽度

1

大小

3mm

待机电流-最大值

0.0001 A

记忆密度

1024 bit

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V