General Electric IM65X61-1MJN/B

表面安装

NO

终端数量

18

Package Description

DIP, DIP18,.3

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

256

Package Body Material

CERAMIC

Package Equivalence Code

DIP18,.3

Operating Temperature-Min

-55 °C

Access Time-Max

220 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IM65X61-1MJN/B

Number of Words

256 words

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

General Electric Solid State

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

GENERAL ELECTRIC SOLID STATE

Risk Rank

5.92

Usage Level

Military grade

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

端子间距

2.54 mm

JESD-30代码

R-XDIP-T18

资历状况

不合格

温度等级

MILITARY

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.002 mA

组织结构

256X4

输出特性

3-STATE

内存宽度

4

待机电流-最大值

0.00001 A

记忆密度

1024 bit

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

达到SVHC

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