GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-220

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-2

供应商器件包装

TO-220-2

厂商

GeneSiC Semiconductor

Package

Tube

Product Status

不用于新设计

Vr - Reverse Voltage

1200 V

Ir - Reverse Current

400 nA

Pd - Power Dissipation

218 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

50

Mounting Styles

通孔

Vrrm - Repetitive Reverse Voltage

1.2 kV

Manufacturer

GeneSiC Semiconductor

Brand

GeneSiC Semiconductor

If - Forward Current

29 A

RoHS

Details

Ifsm - Forward Surge Current

48 A

系列

-

包装

Tube

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

SiC

配置

Single

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

二极管类型

碳化硅肖特基

反向泄漏电流@ Vr

4 μA @ 1200 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.8 V @ 5 A

工作温度 - 结点

-55°C ~ 175°C

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

1200 V

平均整流电流（Io）

29A

产品类别

Schottky Diodes & Rectifiers

电容@Vr, F

359pF @ 1V, 1MHz

反向恢复时间(trr)

0 ns

产品

肖特基碳化硅二极管

Vf-正向电压

1.5 V

产品类别

Schottky Diodes & Rectifiers