GD25S512MDYIGR
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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDYIGR

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型号

GD25S512MDYIGR

utmel 编号

970-GD25S512MDYIGR

商品类别

存储器

封装

8-WDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

3.3V Uniform Sector Dual and Quad Serial Flash

起订量

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GD25S512MDYIGR
GD25S512MDYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 3.3V Uniform Sector Dual and Quad Serial Flash

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GD25S512MDYIGR详情

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDYIGR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-WDFN Exposed Pad

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • 操作温度

    -40°C~85°C TA

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 电压 - 供电

    2.7V~3.6V

  • 内存大小

    512Mb 64M x 8

  • 时钟频率

    104MHz

  • 内存格式

    FLASH

  • 内存接口

    SPI - Quad I/O

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    50μs, 2.4ms

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDYIGR.

GD25S512MDYIGR拓展信息

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