G3S06506C
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Global Power G3S06506C

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型号

G3S06506C

utmel 编号

975-G3S06506C

商品类别

二极管 - 整流器 - 单

封装

144-LBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

650V/ 6A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode

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G3S06506C Global Power 650V/ 6A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode

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G3S06506C详情

Global Power G3S06506C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    144-LBGA

  • 供应商器件包装

    144-MAPBGA (13x13)

  • Number of I/Os

    98

  • Package

    Tray

  • Base Product Number

    PK40

  • 厂商

    NXP USA Inc.

  • Data Converters

    A/D 27x16b; D/A 2x12b

  • Product Status

    Obsolete

  • Rad Hardened

  • 操作温度

    -40°C ~ 105°C (TA)

  • 系列

    Kinetis K40

  • 振荡器类型

    Internal

  • 速度

    100MHz

  • 二极管类型

    碳化硅肖特基

  • 内存大小

    64K x 8

  • 反向泄漏电流@ Vr

    50 µA @ 650 V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.7 V @ 6 A

  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)

    1.71V ~ 3.6V

  • 核心处理器

    ARM® Cortex®-M4

  • 周边设备

    DMA, I²S, LCD, LVD, POR, PWM, WDT

  • 程序存储器类型

    FLASH

  • 芯尺寸

    32-Bit Single-Core

  • 程序内存大小

    256KB (256K x 8)

  • 连接方式

    CANbus, EBI/EMI, I²C, IrDA, SD, SPI, UART/USART, USB, USB OTG

  • 工作温度 - 结点

    -55°C ~ 175°C

  • 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)

    650 V

  • 平均整流电流(Io)

    22.5A

  • EEPROM 大小

    4K x 8

  • 电容@Vr, F

    424pF @ 0V, 1MHz

  • 反向恢复时间(trr)

    0 ns

0个相似型号

G3S06506C拓展信息

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