Global Power G3S06506C
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G3S06506C
975-G3S06506C
二极管 - 整流器 - 单
144-LBGA
大陆
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650V/ 6A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode
1最小包装量--
G3S06506C详情
Global Power G3S06506C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
144-LBGA
供应商器件包装
144-MAPBGA (13x13)
Number of I/Os
98
Package
Tray
Base Product Number
PK40
厂商
NXP USA Inc.
Data Converters
A/D 27x16b; D/A 2x12b
Product Status
Obsolete
Rad Hardened
无
操作温度
-40°C ~ 105°C (TA)
系列
Kinetis K40
振荡器类型
Internal
速度
100MHz
二极管类型
碳化硅肖特基
内存大小
64K x 8
反向泄漏电流@ Vr
50 µA @ 650 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.7 V @ 6 A
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
1.71V ~ 3.6V
核心处理器
ARM® Cortex®-M4
周边设备
DMA, I²S, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
程序存储器类型
FLASH
芯尺寸
32-Bit Single-Core
程序内存大小
256KB (256K x 8)
连接方式
CANbus, EBI/EMI, I²C, IrDA, SD, SPI, UART/USART, USB, USB OTG
工作温度 - 结点
-55°C ~ 175°C
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
650 V
平均整流电流(Io)
22.5A
EEPROM 大小
4K x 8
电容@Vr, F
424pF @ 0V, 1MHz
反向恢复时间(trr)
0 ns
G3S06506C拓展信息
Global Power
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