Global Power Technology-GPT G3S12010B
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G3S12010B
975-G3S12010B
二极管 - 整流器 - 阵列
TO-247-3
大陆
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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P
1最小包装量--
G3S12010B详情
Global Power Technology-GPT G3S12010B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
供应商器件包装
TO-247AB
厂商
Global Power Technology-GPT
Package
Tape & Box (TB)
Product Status
活跃
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)
39A (DC)
系列
-
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
二极管类型
碳化硅肖特基
反向泄漏电流@ Vr
50 μA @ 1200 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.7 V @ 5 A
工作温度 - 结点
-55°C ~ 175°C
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
1200 V
二极管配置
1 Pair Common Cathode
反向恢复时间(trr)
0 ns
G3S12010B拓展信息
Global Power
Global Power
Global Power
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哦! 它是空的。