Global Power Technology-GPT G5S6504Z

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

供应商器件包装

8-DFN (4.9x5.75)

厂商

Global Power Technology-GPT

Package

Tape & Box (TB)

Product Status

活跃

Qc(nC),TJ=25℃

10（VR=400V）

Ifsm(A),Tc=25℃

24

IF(A),Tc=25℃

12

IF(A),Tc=125℃

5.7(135℃)

IF(A),Tc=160℃

4（152℃）

Vrrm(V)

650

Config.

Single

Ptot(W),Tc=110℃

22

Ptot(W),Tc=25℃

52

系列

-

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

二极管类型

碳化硅肖特基

反向泄漏电流@ Vr

50 μA @ 650 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.6 V @ 4 A

工作温度 - 结点

-55°C ~ 175°C

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

650 V

平均整流电流（Io）

15.45A

电容@Vr, F

181pF @ 0V, 1MHz

反向恢复时间(trr)

0 ns