Harris BUZ60

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Risk Rank

5.14

Drain Current-Max (ID)

5.5 A

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Description

TO-220, 3 PIN

Part Package Code

SFM

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

BUZ60

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

1 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

22 A

DS 击穿电压-最小值

400 V

雪崩能量等级（Eas）

320 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR