HGTG20N120E2
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Harris HGTG20N120E2

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型号

HGTG20N120E2

品牌

Harris

utmel 编号

1050-HGTG20N120E2

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 34A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

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HGTG20N120E2
HGTG20N120E2 Harris Insulated Gate Bipolar Transistor, 34A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

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HGTG20N120E2详情

Harris HGTG20N120E2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    HGTG20N120E2

  • Rohs Code

    无

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.69

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    520 ns

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    100 ns

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    无

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    MOTOR CONTROL

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-247

  • 集电极电流-最大值(IC)

    34 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1200 V

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HGTG20N120E2拓展信息

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