HGTG30N120B3D详情
Harris HGTG30N120B3D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
HGTG30N120B3D
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
HARRIS SEMICONDUCTOR
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Risk Rank
5.73
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-247
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
HGTG30N120B3D拓展信息
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
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