HIP6603CB-T详情
Harris HIP6603CB-T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
8
Manufacturer Part Number
HIP6603CB-T
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTERSIL CORP
Part Package Code
SOIC
Package Description
PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8
Risk Rank
5.38
Operating Temperature-Max
85 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
SOP
Package Equivalence Code
SOP8,.25
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Supply Voltage-Max
13.2 V
Supply Voltage-Nom
12 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Supply Voltage-Min
10.8 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.39.00.01
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
电源
5/12,12 V
温度等级
OTHER
座位高度-最大
1.75 mm
接口IC类型
基于半桥的mosfet驱动器
高边驱动器
YES
电源电压1-最小值
5 V
电源电压1-最大值
12 V
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
HIP6603CB-T拓展信息
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris








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