注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥118.130721
10
¥111.444077
100
¥105.135922
500
¥99.184832
1000
¥93.570597
HM1-65262-9详情
Harris HM1-65262-9重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
20-CDIP (0.300, 7.62mm)
表面安装
NO
供应商器件包装
20-CERDIP
终端数量
20
Package
Bulk
Base Product Number
HM1-65262
厂商
Harris Corporation
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Package Style
IN-LINE
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Number of Words Code
16000
Package Body Material
CERAMIC, GLASS-SEALED
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
85 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
HM1-65262-9
Number of Words
16384 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.85
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
技术
SRAM - Synchronous
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-GDIP-T20
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
内存大小
16Kbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
85 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
16KX1
内存宽度
1
写入周期时间 - 字符、页面
85ns
记忆密度
16384 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
组织的记忆
16K x 1
HM1-65262-9拓展信息







哦! 它是空的。