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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | 操作温度 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 端子表面处理 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | Reach合规守则 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 漏源电压 (Vdss) | Vgs（最大值） | 极性/通道类型 | JEDEC-95代码 | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | 场效应管特性 | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFF433 | Harris | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-205AF Metal Can | NO | TO-205AF (TO-39) | 3 | SILICON | IRFF433 | 无 | 活跃 | ROCHESTER ELECTRONICS LLC | 5.39 | Harris Corporation | 2.25 A | 未说明 | 1 | METAL | ROUND | CYLINDRICAL | 未说明 | Bulk | 2.25A (Tc) | 10V | 25W (Tc) | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | e0 | 无 | 锡铅 | MOSFET (Metal Oxide) | BOTTOM | WIRE | 未说明 | unknown | O-MBCY-W3 | COMMERCIAL | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | N-Channel | SWITCHING | 2Ohm @ 1.5A, 10V | 4V @ 250µA | 600 pF @ 25 V | 30 nC @ 10 V | 450 V | ±20V | N-CHANNEL | TO-205AF | 2 Ω | 9 A | 450 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
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