Harris IRFF433

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AF Metal Can

供应商器件包装

TO-205AF (TO-39)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

IRFF433

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.39

Drain Current-Max (ID)

2.25 A

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Number of Elements

1

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.25A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Harris Corporation

Power Dissipation (Max)

25W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2Ohm @ 1.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

600 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

450 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-205AF

漏极-源极导通最大电阻

2 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9 A

DS 击穿电压-最小值

450 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-