HARRIS IRFR4229A

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Dimensions

29x12,4x25mm

Contact Materials

AgNi

CoilResistance

6 900 Ohm

RoHS

有

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

IRFR4229A

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Harris Semiconductor

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.83

Drain Current-Max (ID)

2.2 A

系列

40

类型

Power

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

注意

-

操作模式

增强型MOSFET

触点形式

DPDT

极性/通道类型

N-CHANNEL

线圈电压

110VAC

JEDEC-95代码

TO-252AA

漏极-源极导通最大电阻

4 Ω

线圈功率

1 200 mW

DS 击穿电压-最小值

500 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR