HARRIS IRFR91209A

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Dimensions

27,7x20,7x37,2mm

Contact Materials

AgNi

CoilResistance

600 Ohm

RoHS

有

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Drain Current-Max (ID)

5.6 A

Risk Rank

5.08

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Part Life Cycle Code

Obsolete

Number of Elements

1

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

IRFR91209A

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

150 °C

系列

55

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

类型

Industrial

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

注意

-

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

触点形式

4PDT

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

线圈电压

24VDC

JEDEC-95代码

TO-252AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.6 A

漏极-源极导通最大电阻

0.6 Ω

线圈功率

1 000 mW

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

42 W